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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
摘要：本申请提供了一种异质结太阳能电池硅衬底及其制备方法、异质结太阳能电池和光伏系统。制备方法包括：对硅衬底进行双面制绒或双面抛光，得到一次处理的硅衬底；在所述一次处理的硅衬底的一侧面上依次沉积氧化硅层、硼硅玻璃层，形成氧化硅层‑硼硅玻璃层叠层掩膜结构；再在所述一次处理的硅衬底的另一侧面上进行单面抛光或单面制绒；去除所述氧化硅层‑硼硅玻璃层叠层掩膜结构，得到所述异质结太阳能电池硅衬底。通过叠层掩膜的方法，在不增设设备的情况下，即可制备得到一侧面制绒和另一侧面抛光的异质结太阳能电池硅衬底，能耗更低，且制出的异质结太阳能电池硅衬底的洁净度更高，能带来更高的光电转换效率。
主权项：1.一种异质结太阳能电池硅衬底的制备方法，其特征在于，包括：对硅衬底进行双面制绒或双面抛光，得到一次处理的硅衬底；在所述一次处理的硅衬底的一侧面上依次沉积氧化硅层、硼硅玻璃层，形成氧化硅层-硼硅玻璃层叠层掩膜结构；再在所述一次处理的硅衬底的另一侧面上进行单面抛光或单面制绒；去除所述氧化硅层-硼硅玻璃层叠层掩膜结构，得到所述异质结太阳能电池硅衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天合光能股份有限公司 异质结太阳能电池硅衬底及其制备方法、异质结太阳能电池和光伏系统
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