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申请/专利权人：南通大学
摘要：本发明公开一种图案化BiQDsMXene异质结电极及其制备方法，制备方法包括：首先，利用MXenes纳米片在液气界面的自组装和多孔材料诱导的毛细管力挤压效应，在导电基底上沉积MXenes纳米片的单层薄膜Langmuir‑Blodgettmembrane，L‑B膜；随后，通过掩膜法，在MXenes覆盖的导电基底上沉积图案化的BiQDs层，形成BiQDsMXene异质结薄膜电极。相比于传统L‑B膜的制备方式，本发明采用的毛细管力诱导挤压效应，不受复杂仪器设备的限制，并且具有制备过程操作简单和耗时短等优势，能够实现二维材料L‑B膜的大规模制备；另外，本发明图案化异质结电极的制备方法，操作灵活，可适应性强，性能优异，为二维纳米材料异质结电极的设计提供了一种可靠的指导方案。
主权项：1.一种图案化BiQDsMXene异质结电极，其特征在于：包括图案化的BiQDs层和L-B技术沉积的MXene纳米片层，BiQDs层和MXene纳米片层形成BiQDsMXene异质结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南通大学 一种图案化Bi QDs/MXene异质结电极及其制备方法
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