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申请/专利权人：武汉云岭光电股份有限公司
摘要：本发明涉及一种掩埋异质结激光器制备方法，包括S1，于衬底上依次生长InP缓冲层和光栅层，接着进行光栅制作，并整面生长光栅掩埋层、有源层、InP层以及牺牲层，S2，接着生长波导掩膜层，S3，将波导掩膜层以外区域刻蚀到InP缓冲层，再将波导掩膜层以外区域腐蚀到衬底，S4，接着依托波导掩膜层进行P型InP的掩埋生长；S5，去掉波导掩膜层下牺牲层两侧的部分材料；S6，再进行N型InP的掩埋生长，其中N型InP的生长会填充两侧腐蚀掉的牺牲层；S7，去掉波导掩膜层和牺牲层，整面生长P型盖层和接触层，完成掩埋异质结电流阻挡层的制作。本发明一方面能调节载流子注入密度，另一方面能形成高耸有效的电流限制层，减少漏电，提高激光器的电流注入效率。
主权项：1.一种掩埋异质结激光器制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，于衬底上依次生长InP缓冲层和光栅层，接着进行光栅制作，并整面生长光栅掩埋层、有源层、InP层以及牺牲层，S2，接着生长波导掩膜层，S3，将波导掩膜层以外区域刻蚀到InP缓冲层，再将波导掩膜层以外区域腐蚀到衬底，S4，接着依托所述波导掩膜层进行P型InP的掩埋生长，所述P型InP高于所述有源层，低于所述牺牲层；S5，去掉波导掩膜层下牺牲层两侧的部分材料；S6，再进行N型InP的掩埋生长，其中N型InP的生长会填充两侧腐蚀掉的牺牲层；S7，去掉波导掩膜层和牺牲层，整面生长P型盖层和接触层，完成掩埋异质结电流阻挡层的制作；所述牺牲层的生长与所述光栅掩埋层，有源层以及InP层一起生长，或者所述牺牲层单独生长；单独生长具体为：在生长了光栅掩埋层后，将光栅表面凹槽填平，使得表面平整；接着依次生长有源层和InP层；生长波导掩膜层后进行刻蚀，保留波导层上面的波导掩膜层，再刻蚀无掩膜区域到所述InP缓冲层，再腐蚀无掩膜区域到衬底；在所述波导掩膜层两侧生长P型InP，其中，P型InP的生长高度与所述InP层上表面平齐；去掉波导掩膜层，接着整面生长牺牲层，并在所述牺牲层上生长掩膜层；接着去掉有源层两侧所述掩膜层；再去掉掩膜层以外及两侧牺牲层，通过控制腐蚀时间，腐蚀牺牲层宽度小于所述InP层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉云岭光电股份有限公司 一种掩埋异质结激光器制备方法
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