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申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司

摘要：在一个示例中，半导体器件10包括有源沟槽区域22A和交叉沟槽区域22C,22CA,22CB。该有源沟槽区域22A包括有源屏蔽电极21A，并且该交叉沟槽区域22C,22CA,22CB包括交叉屏蔽电极21C,21C’。耦接沟槽区域22B,22B’,22BA将该有源沟槽区域21A连接到该交叉沟槽区域22C,22CA,22CB。该耦接沟槽区域22B,22B’,22BA包括耦接屏蔽电极21B,21B’。该耦接屏蔽电极21B,21B’和该交叉屏蔽电极21C,21C’提供在终止台面区域16B,16B’,16B”附近。该耦接屏蔽电极21B,21B’或该交叉屏蔽电极21C,21C’中的一者或多者比该有源屏蔽电极21A更薄。更薄的屏蔽电极减少该终止台面区域中的耗尽，以改善击穿电压性能等。

主权项：1.一种半导体器件10，所述半导体器件包括：半导体材料区域11；第一有源沟槽区域22A,22A1，所述第一有源沟槽区域向内延伸到所述半导体材料区域中并且包括有源屏蔽电极21A，该有源屏蔽电极在所述第一有源沟槽区域中并且通过有源屏蔽电极电介质24A与所述半导体材料区域分离；第二有源沟槽区域22A,22A2，所述第二有源沟槽区域向内延伸到所述半导体材料区域中，与所述第一有源沟槽区域横向间隔开并且平行于所述第一有源沟槽区域，并且包括有源屏蔽电极22A，该有源屏蔽电极在所述第二有源沟槽区域中并且通过所述有源屏蔽电极电介质24A与所述半导体材料区域分离；交叉沟槽区域22C,22CA,22CB，所述交叉沟槽区域向内延伸到所述半导体材料区域中并且垂直于所述第一有源沟槽区域和所述第二有源沟槽区域；第一耦接沟槽区域22B,22B’,22BA,22B1，所述第一耦接沟槽区域将所述第一有源沟槽区域耦接到所述交叉沟槽区域并且包括耦接屏蔽电极21B,21B’，所述耦接屏蔽电极在所述第一耦接沟槽区域内并且通过耦接屏蔽电极电介质24B,24B’与所述半导体材料区域分离；和第二耦接沟槽区域22B,22B’,22BA,22B2，所述第二耦接沟槽区域将所述第二有源沟槽区域耦接到所述交叉沟槽区域并且包括所述耦接屏蔽电极21B,21B’，所述耦接屏蔽电极在所述第二耦接沟槽区域内并且通过所述耦接屏蔽电极电介质24B,24B’与所述半导体材料区域分离；其中：在第一横截面视图中所述有源屏蔽电极包括第一厚度216A；在所述第一横截面视图中所述耦接屏蔽电极包括第二厚度216B,216B’；并且所述第二厚度小于所述第一厚度。

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权利要求：

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