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申请/专利权人：株式会社菲尔尼克斯

摘要：本发明的目的在于通过将半导体磊晶层接合于其他基板而使制造半导体元件的方法效率化。本发明的半导体元件的制造方法包括：形成作为薄膜的固定层的步骤，所述固定层将半导体薄膜层的与母材基板一侧为相反侧的主面的至少一部分与母材基板中的半导体薄膜层一侧的面的至少一部分结合；通过将半导体薄膜层或母材基板的一部分区域去除而形成空隙的步骤；在形成空隙后，在半导体薄膜层的主面将形成于拾取基板的有机材料层与固定层结合的步骤；在有机材料层结合于固定层的状态下将拾取基板沿与母材基板相离的方向移动，由此将半导体薄膜层自第一基板分离的步骤；以及将自母材基板分离后的半导体薄膜层接合于第二基板的步骤。本发明还提供一种半导体元件。

主权项：1.一种半导体元件的制造方法，将形成于第一基板的上方的III族氮化物的半导体薄膜层的岛自所述第一基板分离并接合于与所述第一基板不同的第二基板上，所述半导体元件的制造方法的特征在于包括：以III族氮化物的所述半导体薄膜层的岛的长边的方向与作为所述第一基板的Si（111）基板的＜112＞方向的角度成为-45°至45°之间的角度范围的方式在所述第一基板的上方形成所述半导体薄膜层的岛的步骤；形成作为薄膜的固定层的步骤，所述固定层将所述半导体薄膜层的与所述第一基板一侧为相反侧的主面的至少一部分与所述第一基板中的所述半导体薄膜层一侧的面的至少一部分结合；在所述形成作为薄膜的固定层的步骤之后，通过将所述半导体薄膜层的岛或所述第一基板的一部分区域、或者所述半导体薄膜层的岛与所述第一基板之间的层的一部分区域去除而形成露出所述半导体薄膜层的岛的所述第一基板侧的面的空隙的步骤；在形成所述空隙后，将与所述第一基板及所述第二基板不同的第三基板与所述固定层及所述半导体薄膜层的岛的至少一部分的结合区域结合的步骤；在所述第三基板结合于所述结合区域的状态下将所述第三基板沿与所述第一基板相离的方向移动，由此将所述半导体薄膜层的岛自所述第一基板分离的步骤；以及将自所述第一基板分离后的所述半导体薄膜层的岛接合于所述第二基板的步骤，且在形成所述固定层的步骤中形成如下厚度的与多个所述半导体薄膜层的岛对应的多个所述固定层，即，通过移动所述第三基板的力而使形成于所述第一基板上的所述固定层与形成于所述半导体薄膜层的侧面的所述固定层之间产生龟裂的厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社菲尔尼克斯 半导体元件的制造方法及半导体基板