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申请/专利权人：住友电气工业株式会社
摘要：本公开提供一种能提高散热性的半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置具有：基板；半导体层，设于所述基板之上；第一主电极和第二主电极，设于所述半导体层之上；控制电极，在所述半导体层之上设于所述第一主电极与所述第二主电极之间；第一绝缘层，与所述控制电极直接接触，并且覆盖所述第一主电极；第二绝缘层，设于所述第一绝缘层之上；第一导电层，贯通所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，电连接于所述第一主电极，与所述第一绝缘层直接接触；以及第二导电层，设于所述第二绝缘层之上，与所述第一导电层直接接触，所述第一绝缘层包含氮化铝。
主权项：1.一种半导体装置，具有：基板；半导体层，设于所述基板之上；第一主电极和第二主电极，设于所述半导体层之上；控制电极，在所述半导体层之上设于所述第一主电极与所述第二主电极之间；第一绝缘层，与所述控制电极直接接触，并且覆盖所述第一主电极；第二绝缘层，设于所述第一绝缘层之上；第一导电层，贯通所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，电连接于所述第一主电极，与所述第一绝缘层直接接触；以及第二导电层，设于所述第二绝缘层之上，与所述第一导电层直接接触，所述第一绝缘层包含氮化铝。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 住友电气工业株式会社 半导体装置和半导体装置的制造方法
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