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申请/专利权人：深圳市港祥辉电子有限公司
摘要：本发明公开了一种纵向常关型GaN复合型JFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括漏极金属，所述漏极金属的上方依次设置有n型SiC衬底、n型GaN、第一p型GaN、GaN沟道层、AlGaN势垒层、第二p型GaN、栅极金属、隔离介质以及源极金属。通过采用纵向结构实现了高耐压特性，超过传统横向GaNHEMT器件，器件在正常导通时，通过AlGaN和GaN界面的二维电子气及n型GaN中电子的共同导电，确保了低导通电阻和优异的电流续流能力；此外，器件的通断控制依赖于二维电子气的形成，通过栅极电压控制二维电子气的产生，实现低驱动损耗和快速的开关速度，不仅提高了电源应用的效率，还具备优良的电学特性。
主权项：1.一种纵向常关型GaN复合型JFET器件，其特征在于，包括漏极金属，所述漏极金属位于该器件的最底端，所述漏极金属的上方设置有n型SiC衬底，所述n型SiC衬底的上方设置有n型GaN，所述n型GaN的上方设置有第一p型GaN；所述第一p型GaN的上方设置有GaN沟道层，所述GaN沟道层的底端设置有沟槽，所述GaN沟道层的上方设置有AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层的上方设置有第二p型GaN，所述第二p型GaN的上方设置有栅极金属；所述栅极金属和第二p型GaN的两侧均设置有隔离介质，所述隔离介质位于AlGaN势垒层的上方，所述隔离介质、AlGaN势垒层以及GaN沟道层的两侧均设置有源极金属，所述源极金属位于第一p型GaN的上方。
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权利要求：
百度查询： 深圳市港祥辉电子有限公司 一种纵向常关型GaN复合型JFET器件及其制备方法
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