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申请/专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司

摘要：一种抗辐射加固的SiC超结JFET结构及制备方法，从下至上依次为：漏极金属化层、N+衬底层、N缓冲层、P柱区、N柱区、P‑base区、电流扩展区、N+源区、P+栅区、隔离介质层、栅极金属化层、源极金属化层。P柱区与N柱区交替排列于N缓冲层上表面，P柱区左右对称设置，N柱区设置在两个P柱区之间。P柱区、P‑base区两者组成一个P型掺杂区整体，并与源极金属化层连接。P+栅区与P‑base区之间形成导电沟道结构，通过控制P+栅区上的电压实现沟道的开通和关断。本发明有效解决了器件内部由高能带电粒子轰击导致的电场集中问题，降低了局部高温，极大提高了SiCJFET的抗单粒子辐射能力。

主权项：1.一种抗辐射加固的SiC超结JFET结构，其特征在于，包括多个并联的元胞，每个元胞包括：依次排列的漏极金属化层9、N+衬底层8和N缓冲层7；P柱区5和N柱区6，交替排列在N缓冲层7背离N+衬底层8的一侧，P柱区5包括两部分，N柱区6位于两部分P柱区5之间；P-base区4，位于P柱区5和N柱区6背离N缓冲层7一侧的交界位置，两个相邻的P-base区4之间有间隙；电流扩展区3，位于N柱区6背离N缓冲层7一侧，电流扩展区3位于两个P-base区4之间，且电流扩展区3覆盖P-base区4背离N柱区6的表面；N+源区2，位于P-base区4背离P柱区5的一侧，且N+源区2位于电流扩展区3的两侧；P+栅区1，位于电流扩展区3背离N柱区6一侧表面中部的凹陷位置；栅极金属化层10，位于P+栅区1背离P-base区4表面的中部；隔离介质层12，位于电流扩展区3和P+栅区1背离N柱区6一侧表面，且隔离介质层12覆盖栅极金属化层10；源极沟槽，设置于N+源区2和P-base区4背离电流扩展区3的一侧，源极沟槽贯穿N+源区2和P-base区4的厚度方向，源极沟槽底部与P柱区5表面接触；源极金属化层11，位于源极沟槽内，源极金属化层11的厚度大于源极沟槽的深度，以使源极金属化层11覆盖N+源区2的上表面，源极金属化层11与N+源区2、P-base区4、P柱区5和隔离介质层12接触；隔离介质层12将栅极金属化层10和源极金属化层11隔离。

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