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申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种横向SiC‑JFET器件，包括：基底；第二掺杂类型的第二外延层；在所述第二外延层内横向设置的第二掺杂类型的栅极和第一掺杂类型的漂移区；第二掺杂类型的表面自耗尽层，形成在所述第二外延层之上，且所述表面自耗尽层和所述栅极连接；接地的场板，间隔设置在所述表面自耗尽层上方；其中，在所述栅极外接栅极电压时，所述表面自耗尽层和所述场板之间的电势差为栅极和接地之间的电势差。本申请实施例解决了传统横向SiC‑JFET器件中场板的尖端放电导致可靠性不足的技术问题。
主权项：1.一种横向SiC-JFET器件，其特征在于，包括：基底；第二掺杂类型的第二外延层103；在所述第二外延层103内横向设置的第二掺杂类型的栅极110和第一掺杂类型的漂移区104；第二掺杂类型的表面自耗尽层209，形成在所述漂移区104之上，且所述表面自耗尽层209和所述栅极110连接；接地的场板202，间隔设置在所述表面自耗尽层209上方；其中，在所述栅极110外接栅极电压时，所述表面自耗尽层209和所述场板202之间的电势差为栅极110和接地之间的电势差。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 一种横向SiC-JFET器件
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