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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本申请提供一种改善化学机械研磨后晶圆面内均一性的方法，包括：步骤一，量测晶圆内形成的填铜用沟槽的特征尺寸，将量测前值反馈给IAPC系统；步骤二，将完成电镀铜的晶圆传送至研磨设备后，IAPC系统将根据量测前值设定的研磨工艺参数传送至研磨设备，对第一批次晶圆实施研磨；步骤三，完成对同一批次晶圆的研磨后，量测形成的铜互连结构的特征尺寸，将量测后值反馈给IAPC系统，IAPC系统将根据量测后值设定的研磨工艺参数传送至研磨设备，对下一批次晶圆实施研磨；重复步骤三，直至对全部晶圆的研磨结束。通过本申请，有效改善研磨后晶圆面内均一性。
主权项：1.一种改善化学机械研磨后晶圆面内均一性的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，量测晶圆内形成的填铜用沟槽的特征尺寸，将量测前值反馈给IAPC系统；步骤二，将完成电镀铜的晶圆传送至研磨设备后，所述IAPC系统将根据所述量测前值设定的研磨工艺参数传送至所述研磨设备，对第一批次晶圆实施研磨；步骤三，完成对同一批次晶圆的研磨后，量测形成的铜互连结构的特征尺寸，将量测后值反馈给所述IAPC系统，所述IAPC系统将根据所述量测后值设定的研磨工艺参数传送至所述研磨设备，对下一批次晶圆实施研磨；重复所述步骤三，直至对全部晶圆的研磨结束。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 改善化学机械研磨后晶圆面内均一性的方法
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