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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：描述了用于GaN基光电与电子器件的控氧PVDAlN缓冲部。亦描述了以控氧方式形成用于GaN基光电与电子器件的PVDAlN缓冲部的方法。在实例中，形成用于GaN基光电或电子器件的氮化铝AlN缓冲层的方法涉及反应性溅射AlN层于基板上，反应性溅射涉及使置于物理气相沉积PVD腔室内的含铝靶材与含氮气体或以含氮气体为基础的等离子体发生反应。该方法进一步涉及将氧并入AlN层中。
主权项：1.一种用于GaN基光电或电子器件的材料堆叠物，所述材料堆叠物包括：基板，所述基板选自由蓝宝石、Si、SiC、钻石覆Si、ZnO、LiAlO2、MgO、GaAs、铜和W所组成的群组；氮化铝AlN缓冲层，所述AlN缓冲层直接设置于所述基板上，所述AlN层包含在1E18至1E23cm-3之间的氧浓度，其中一部分所述氧被包括在AlN基板界面处，并且其中所述AlN缓冲层具有大约20纳米的厚度；及高质量GaN层，所述高质量GaN层设置于所述AlN缓冲层上，所述高质量GaN层的XRD002FWHM＜100弧秒且XRD102FWHM＜150弧秒。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 用于GaN基光电与电子器件的控氧PVD AlN缓冲部
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