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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明涉及一种基于连续域束缚态的硅基发光芯片及其制备方法，包括硅衬底，二氧化硅绝缘层以及III‑V纳米盘柱结构。本发明具有良好的光致发光特性，器件结构简单，结构纳米级别且易于制作，能实现大规模集成，在解决硅基片上光源方面有着巨大的潜力。
主权项：1.一种基于连续域束缚态的硅基发光芯片，其特征在于：包括硅衬底，二氧化硅绝缘层以及III-V纳米柱结构；所述III-V纳米柱结构包括GaAs下覆盖层、InAs量子点阱层、GaAs上覆盖层；所述III-V纳米柱结构为横轴对称、纵轴对称；所述柱结构为半径变化的圆柱结构，变化间隔为5nm，两个圆柱结构之间的距离为50um。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种基于连续域束缚态的硅基发光芯片及其制备方法
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