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申请/专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司

摘要：本申请提供了一种可以分区域调节晶圆翘曲度的晶圆加工方法，涉及半导体技术领域。本申请提供的晶圆加工方法包括：通过椭偏仪量测设备获得晶圆衬底的翘曲度，在晶圆衬底上沉积第一应力薄膜；根据晶圆衬底的翘曲度，在第一应力薄膜上确定保留区域和蚀刻区域，通过蚀刻工艺去除或减薄蚀刻区域的第一应力薄膜；在晶圆衬底上已蚀刻的区域中沉积第二应力薄膜，第一应力薄膜和第二应力薄膜对晶圆衬底的应力方向相反。本申请实施例提供的晶圆加工方法，通过“第一次镀膜‑蚀刻‑第二次镀膜”的工艺，通过在不同的区域分布第一应力薄膜和第二应力薄膜，能够实现翘曲度分区调节，从而对复杂翘曲情况的晶圆进行较好地改善。

主权项：1.一种可以分区域调节晶圆翘曲度的晶圆加工方法，其特征在于，包括：通过椭偏仪量测设备获得晶圆衬底的翘曲度，然后在晶圆衬底上沉积第一应力薄膜；根据所述晶圆衬底的翘曲度，在所述第一应力薄膜上确定保留区域和蚀刻区域，通过蚀刻工艺去除或减薄所述蚀刻区域的所述第一应力薄膜；在所述晶圆衬底上已蚀刻的区域中沉积第二应力薄膜，所述第一应力薄膜和所述第二应力薄膜对所述晶圆衬底的应力方向相反；通过蚀刻工艺去除或减薄所述蚀刻区域的所述第一应力薄膜的步骤，包括：使用具有遮挡区域和非遮挡区域的遮罩对所述晶圆衬底进行局部遮挡，以使所述遮罩的所述遮挡区域将所述第一应力薄膜的所述保留区域遮挡，所述遮罩的所述非遮挡区域将所述第一应力薄膜的所述蚀刻区域露出；从所述遮罩背离所述晶圆衬底的一侧向所述晶圆衬底的方向输送蚀刻性气体，以使所述蚀刻区域的所述第一应力薄膜与所述蚀刻性气体反应以被去除或减薄；在所述晶圆衬底上已蚀刻的区域中沉积第二应力薄膜的步骤，包括：使用具有遮挡区域和非遮挡区域的遮罩对所述晶圆衬底进行局部遮挡，以使所述遮罩的遮挡区域将所述第一应力薄膜遮挡，所述遮罩的所述非遮挡区域将所述晶圆衬底上已蚀刻的区域露出；从所述遮罩背离所述晶圆衬底的一侧向所述晶圆衬底的方向输送工艺气体以在所述晶圆衬底上已去除或减薄所述第一应力薄膜的区域中沉积所述第二应力薄膜；沉积所述第二应力薄膜与蚀刻所述第一应力薄膜的步骤在同一个晶圆加工设备中进行，且使用同一个所述遮罩。

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