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申请/专利权人：爱发科成膜株式会社
摘要：本发明涉及一种掩模坯及光掩模，所述掩模坯具有成为光掩模的掩模层。所述掩模坯的反射率低且具有规定的光密度，能够使遮光层的蚀刻速率与防反射层的蚀刻速率接近，并且能够实现降低上檐及下摆的适当的剖面形状。所述掩模层具有：下部防反射层，层压于透明基板；遮光层，设置在比所述下部防反射层更远离所述透明基板的位置上；和上部防反射层，设置在比所述遮光层更远离所述透明基板的位置上。
主权项：1.一种掩模坯，具有成为光掩模的掩模层，其中，所述掩模层具有：下部防反射层，层压于透明基板；遮光层，设置在比所述下部防反射层更远离所述透明基板的位置上；和上部防反射层，设置在比所述遮光层更远离所述透明基板的位置上，将所述下部防反射层、所述遮光层及所述上部防反射层各自中的氮、氧、铬、碳的组成比通过俄歇电子能谱法求出，所述下部防反射层为包含铬、氧、氮及碳的氧氮碳化膜，包含在所述下部防反射层中的铬的含有率为34原子%～38原子%，包含在所述下部防反射层中的氧的含有率为38原子%～44原子%，包含在所述下部防反射层中的氮的含有率为15原子%～19原子%，包含在所述下部防反射层中的碳的含有率为4原子%～5原子%，所述遮光层为包含铬及氮的氮化膜，包含在所述遮光层中的铬的含有率为82原子%～90原子%，包含在所述遮光层中的氮的含有率为5原子%～8原子%，所述上部防反射层为包含铬、氧、氮及碳的氧氮碳化膜，包含在所述上部防反射层中的铬的含有率为25原子%～32原子%，包含在所述上部防反射层中的氧的含有率为56原子%～67原子%，包含在所述上部防反射层中的氮的含有率为5原子%～13原子%，包含在所述上部防反射层中的碳的含有率为2原子%～4原子%，波长为365nm～436nm的曝光光线下的反射率在所述掩模层的两面均为10%以下，波长为436nm的曝光光线下的反射率在所述掩模层的两面均为5%以下。
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