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申请/专利权人:金阳(泉州)新能源科技有限公司
摘要:本发明属于设备清洁技术领域,具体涉及一种多腔室串联结构的PECVD设备及其清洁控制方法,多腔室串联结构的PECVD设备包括非晶层工艺腔室、半导体层工艺腔室以及多个依次设置的减反层工艺腔室,该清洁控制方法通过将多个减反层工艺腔室按照顺序对不同工艺腔依次轮流进行待机清洁,大幅提高非晶层、半导体层与减反层的在线清洁的匹配度,并且整个减反层工艺腔室也无需全部停机清洁,从而提升整个PECVD设备的利用率,有利于降低设备成本。
主权项:1.一种多腔室串联结构的PECVD设备的清洁控制方法,所述多腔室串联结构的PECVD设备包括非晶层工艺腔室、半导体层工艺腔室以及N个依次设置的减反层工艺腔室,N为大于2的整数,其特征在于,所述的清洁控制方法包括:S100,将N个减反层工艺腔室的沉积厚度重置清零;S200,控制任意一个减反层工艺腔室待机,且将该减反层工艺腔室设定为当前腔室,其余的N-1个减反层工艺腔室按照清洁循环膜厚Tc同步沉积减反层;S300,以步骤S200中的当前腔室为基准,按照减反层工艺腔室的排布顺序依次对后续的各减反层工艺腔室进行循环待机清洁,同时其余的N-1个减反层工艺腔室按照清洁循环膜厚Tc同步沉积减反层;其中,各减反层工艺腔室最大累积膜厚Ta与清洁循环膜厚Tc满足公式:Ta=Tc*(N-1),当第N个减反层工艺腔室的沉积厚度达到最大累积膜厚时,则下一阶段沉积减反层的过程中必须对该减反层工艺腔室进行待机清洁。
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百度查询: 金阳(泉州)新能源科技有限公司 一种多腔室串联结构的PECVD设备及其清洁控制方法
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