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申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及一种在集成电路铜膜化学机械抛光中使用抛布和抛液的方法，所属硅片抛光工艺技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将由PH调节剂、磨料、氧化剂、表面活性剂和润滑剂组成的抛光液进行混合制备。第二步：抛液中的碱、有机物与集成电路反应，生成硬度较单晶硅更低的结合产物。第三步：采用溶胶凝胶法制备出的高活性硅溶胶作为磨料成分。第四步：通过抛光布将抛液中的磨料在抛布与集成电路的相对运动中机械去除反应层。采用晶片与抛布接触面减小，降低晶片与抛布之间分子间作用力，减少抛布吸片的发生。实现使用无沟槽抛布，提升产品NT。通过晶片、抛布、抛液之间流动型增强，利于控制晶片去除形貌，产品平坦度更佳。
主权项：1.一种在集成电路铜膜化学机械抛光中使用抛布和抛液的方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：将由PH调节剂、磨料、氧化剂、表面活性剂和润滑剂组成的抛光液进行混合制备；第二步：抛液中的碱、有机物与集成电路反应，生成硬度较单晶硅更低的结合产物；第三步：采用溶胶凝胶法制备出的高活性硅溶胶作为磨料成分；第四步：通过抛光布将抛液中的磨料在抛布与集成电路的相对运动中机械去除反应层。
全文数据：
权利要求：
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