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申请/专利权人：富芯微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种具有高散热性的功率MOSFET器件散热结构，包括设置在芯片外的散热外壳，电极件和芯片的凹槽交接处设置有硅胶导热片，硅胶导热片和芯片的外侧面上设置有导热板，导热板覆盖芯片和硅胶导热片的外侧面，导热板上设有凹槽，凹槽内插有与凹槽相匹配的散热叶，散热叶连接有通风道，通风道设置有第二通风口和第一通风口，本结构不仅实现了将电极件和芯片中产生的热量转移到硅胶导热片上，且硅胶导热片也加强了电极件与芯片的连接，使得电极件与芯片的连接更加稳固，通过导热板的设置，将导热板中的热量通过散热叶将热量集中散在通风道中，热量经过通风道散在散热外壳外，极大提高了电极件与芯片的散热。
主权项：1.一种具有高散热性的功率MOSFET器件散热结构，用于芯片4和电极件5的散热，所述芯片4的两端分别设置有电极件5，其中，一个所述电极件5的另一端连接有阳极引线2，另一个所述电极件5的另一端连接有阴极引线3，其特征在于，包括设置在芯片4外的散热外壳1，所述散热外壳1呈圆柱状，所述电极件5和芯片4的凹槽交接处设置有硅胶导热片6，所述硅胶导热片6与芯片4的外侧面等高，所述硅胶导热片6和芯片4的外侧面上设置有导热板10，所述导热板10覆盖芯片4和硅胶导热片6的外侧面，所述导热板10上设有凹槽，凹槽内插有与凹槽相匹配的散热叶12，所述散热叶12的另一端连接有通风道8，所述通风道8绕散热外壳1的中心轴线呈环形分布，所述通风道8绕散热外壳1的中心轴线呈环形分布设置有第二通风口9，所述第二通风口9与通风道8内部相通，所述第二通风口9贯穿散热外壳1，所述通风道8位于散热外壳1的两端处均设置有若干个第一通风口7，所述第一通风口7与通风道8的内部连通。
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