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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：本公开涉及穿过源极或漏极接触部之间的电介质墙的导电桥。本文提供了技术来形成半导体装置，该半导体装置包括位于相邻的源极或漏极区域上的顶侧接触部之间的导电桥。导电桥延伸穿过电介质墙，该电介质墙将相邻的源极或漏极区域分隔开。在示例中，第一半导体装置包括围绕从第一源极或漏极区域延伸的第一半导体区域或沟道区域或以其它方式处于所述第一半导体区域或沟道区域上的第一栅极结构，并且相邻的第二半导体装置包括围绕从第二源极或漏极区域延伸的第二半导体区域或以其它方式处于所述第二半导体区域上的第二栅极结构。导电桥穿过本来分隔开导电接触部的电介质墙将第一源极或漏极区域的顶表面上的第一导电接触部与相邻的第二源极或漏极区域的顶表面上的第二导电接触部连接在一起。
主权项：1.一种集成电路结构，包括：第一子鳍区域，所述第一子鳍区域位于衬底上；第一源极或漏极区域，所述第一源极或漏极区域垂直位于所述第一子鳍区域之上；第二子鳍区域，所述第二子鳍区域位于所述衬底上，所述第二子鳍区域与所述第一子鳍区域横向间隔开；第二源极或漏极区域，所述第二源极或漏极区域垂直位于所述第二子鳍区域之上；第一电介质墙，所述第一电介质墙横向位于所述第一子鳍区域与所述第二子鳍区域之间，并且横向位于所述第一源极或漏极区域与所述第二源极或漏极区域之间；第二电介质墙，所述第二电介质墙与所述第一子鳍区域的一侧以及所述第一源极或漏极区域的与所述第一电介质墙相对的一侧横向间隔开；第三电介质墙，所述第三电介质墙与所述第二子鳍区域的一侧以及所述第二源极或漏极区域的与所述第一电介质墙相对的一侧横向间隔开；沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构与所述第一子鳍区域和所述第二子鳍区域横向相邻，并且与所述第一电介质墙的下部、所述第二电介质墙的下部、以及所述第三电介质墙的下部横向相邻；第一导电接触部，所述第一导电接触部位于所述第一源极或漏极区域之上；第二导电接触部，所述的第二导电接触部位于所述第二源极或漏极区域之上；以及导电桥，所述导电桥横向位于所述第一导电接触部和所述第二导电接触部之间并耦合所述第一导电接触部和所述第二导电接触部，所述导电桥位于所述第一电介质墙的顶表面上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 穿过源极或漏极接触部之间的电介质墙的导电桥
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