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一种MXene/AgNW图案化吸波薄膜结构及其制备方法 

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申请/专利权人:扬州大学

摘要:一种MXeneAgNW图案化吸波薄膜结构及其制备方法,步骤如下:步骤一、将CNF溶液、Ti3C2Tx‑MXene的去离子水分散体、AgNW在去离子水中的分散体依次经过真空抽滤,组装完成后经后处理,得到自下而上分别为CNF层、MXene层和AgNW层的薄膜;步骤二、通过激光烧蚀的方法对AgNW层进行图案化处理,所述图案为周期性图案;步骤三、然后在图案化处理后的薄膜上过滤CNF溶液,过滤完全后经后处理得到最终结构,自下而上分别为CNF层、MXene层、AgNW层和CNF层。本发明通过MXene与AgNw独立成层的方法,能够解决直接掺杂带来的导电性能下降问题。通过激光烧蚀技术,对薄膜进行图案化加工,能够进一步提高其吸波能力。通过在薄膜上下表面增加纳米纤维素(CNF)层的方法,能够提高薄膜的力学性能。

主权项:1.一种MXeneAgNW图案化吸波薄膜结构的制备方法,其特征在于,步骤如下:步骤一、将CNF溶液、Ti3C2Tx-MXene的去离子水分散体、AgNW在去离子水中的分散体依次经过真空抽滤,组装完成后经后处理,得到自下而上分别为CNF层、MXene层和AgNW层的薄膜;步骤二、通过激光烧蚀的方法对AgNW层进行图案化处理,所述图案为周期性图案;步骤三、然后在图案化处理后的薄膜上过滤CNF溶液,过滤完全后经后处理得到最终结构,自下而上分别为CNF层、MXene层、AgNW层和CNF层。

全文数据:

权利要求:

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