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申请/专利权人：福建火炬电子科技股份有限公司
摘要：一种组合介质高压多层瓷介电容器及其制备工艺，多层瓷介电容器由多个组合介电层相互叠加烧制而成，组合介电层内部按介电层B、介质层A、介电层B的顺序叠加形成BAB结构，介电层B包括介质层B和印刷在介质层B上的电极；介质层A包括以下原料：钛酸钡基体A和液态改性掺杂剂A；液态改性掺杂剂A包括以下原料：氧化镁、四氧化三锰、稀土氧化物a、稀土氧化物b、碳酸钡、二氧化锆、SLV材料；通过本发明限定的陶瓷材料制备的瓷介电容器，具有高介电常数≥4500，平稳的介温特性曲线符合X7R要求，较低的损耗≤3.0％，高绝缘电阻RC@25℃≥5000MΩ·μF，高耐电压＞150Vμm等优异性能。
主权项：1.一种组合介质高压多层瓷介电容器，其特征在于：由多个组合介电层相互叠加烧制而成，所述组合介电层内部按介电层B、介质层A、介电层B的顺序叠加形成BAB结构，所述介电层B包括介质层B和印刷在介质层B上的电极；介质层A，包括以下重量份的原料：100份的钛酸钡基体A、1.409-6.315份的液态改性掺杂剂A；液态改性掺杂剂A，由氧化镁、四氧化三锰、稀土氧化物a、稀土氧化物b、碳酸钡、二氧化锆、SLV材料按重量比0.086-0.259:0.069-0.128：0.320-1.620：0.484-2.535：0.085-0.423：0.158-0.317：0.13-1.34的比例组成；SLV材料由二氧化硅、碳酸锂、五氧化二钒按摩尔比2.00：1.00：0.50合成。
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