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申请/专利权人：佛山市欣源电子股份有限公司

摘要：本发明提供一种新型高Q值电容器，涉及电容器领域，包括电容器芯子、电容器外壳与镀锡铜线，电容器芯子内设置有绝缘层聚丙烯薄膜。本发明中，通过改变以往的电容器聚丙烯薄膜采用传统的高油屏蔽蒸镀铝加锌高房方阻的方法，在蒸镀的过程中加入少量的专用油做屏蔽层来防止污染频带，避免由于油量大而污染到频带，造成高频损耗并增大Q值减小的现象，同时再蒸镀一薄层铝做电极，用以起到自愈的作用，由于Q值越高其电容器的损耗值越低，效率越高，则采用低油屏蔽以及在蒸镀过程中采用纯铝低方阻的双重设计，以保证电容可以实现高Q值低损耗的特性，且该过程易加工，成本较低，功率因数较高，满足当前无线充电的迫切需求。

主权项：1.一种新型高Q值电容器，包括电容器芯子（10）、电容器外壳（1）与镀锡铜线（2），其特征在于：所述电容器芯子（10）内设置有绝缘层聚丙烯薄膜（6），且聚丙烯薄膜（6）的两侧均通过加入少量专用油做第一屏蔽层（4）与第二屏蔽层（7），第一屏蔽层（4）与第二屏蔽层（7）的顶部开设有蜂窝状凹槽（8），所述聚丙烯薄膜（6）的一侧且位于蜂窝状凹槽（8）的外侧通过真空蒸镀镀上一层铝箔（3），且聚丙烯薄膜（6）的一侧位于铝箔（3）的一侧设置有留边（5）；所述电容器外壳（1）的内侧通过环氧树脂胶（9）粘合有所述电容器芯子（10），且环氧树脂胶（9）均匀的填充在电容器外壳（1）与电容器芯子（10）之间，所述电容器外壳（1）的一侧从电容器芯子（10）的内部引出所述镀锡铜线（2）作为引脚；所述第一屏蔽层（4）与第二屏蔽层（7）的长度与宽度均与铝箔（3）的长度与宽度相等，所述铝箔（3）的长度加上留边（5）的长度与聚丙烯薄膜（6）的长度相等；所述真空蒸镀的加工工艺，包括如下步骤：a：聚丙烯薄膜预处理：首先将聚丙烯薄膜置于去离子水中浸泡0.5-1h，然后将其取出，平铺，置于真空干燥机内进行高温干燥，干燥时间为20-40min，然后在进行电晕处理，将聚丙烯薄膜的两侧开设有蜂窝状的凹槽；b：蒸镀：首先将聚丙烯薄膜置于清洁后的真空室内，并在真空下加热聚丙烯薄膜，使其表面附着的气体脱附，然后将其排出真空室内，提高蒸镀的纯度，然后通过取少量的专用油均匀的平铺到聚丙烯薄膜两侧的蜂窝状凹槽上，做屏蔽层使用，然后通过电子束加热铝箔和熔融，并将熔融后的铝箔均匀的镀在聚丙烯薄膜上的蜂窝状凹槽外侧的专用油表面，并使其表面平整，且蒸镀的方式采用纯铝低方阻的方式；c：将步骤b中制得的金属化薄膜通过卷绕制成电容器芯片，然后通过冷压，喷金，最后烘干定型；步骤b中的所述专用油采用苄基甲苯类掺合油。

全文数据：一种新型高Q值电容器技术领域本发明涉及电容器领域，尤其涉及一种新型高Q值电容器。背景技术随着国内电容器市场的竞争日趋激烈，各大电容器生产商开始了电容器行业技术引领发展的新兴革命。加以世界电容器行业整体表现成熟，而电容器核心技术大多掌握在国外电容器巨头手中，所以也造成了国内厂商开始把工作重心转移到技术领域的新战略和新战线。但是由于在技术领域内几大行业前行的难点中，低损耗角、高功率因数Q值电容器是大家一直关注的却又很难解决的一个难点，如果能够很好地解决或在很大程度上能够增大功率因数Q值，那么将会受到手机无线充电适配器市场的青睐，因此本发明提出一种新型高Q值电容器来解决上述问题。发明内容本发明的目的在于提供一种新型高Q值电容器，以解决上述技术问题。本发明为解决上述技术问题，采用以下技术方案来实现：一种新型高Q值电容器，包括电容器芯子、电容器外壳与镀锡铜线，其特征在于：所述电容器芯子内设置有绝缘层聚丙烯薄膜，且聚丙烯薄膜的两侧均通过加入少量屏蔽油做第一屏蔽层与第二屏蔽层，第一屏蔽层与第二屏蔽层的顶部开设有蜂窝状凹槽，所述聚丙烯薄膜的一侧且位于蜂窝状凹槽的外侧通过真空蒸镀镀上一层铝箔，且聚丙烯薄膜的一侧位于铝箔的一侧设置有留边；所述电容器外壳的内侧通过环氧树脂胶粘合有所述电容器芯子，且环氧树脂胶均匀的填充在电容器外壳与电容器芯子之间，所述电容器外壳的一侧从电容器芯子的内部引出所述镀锡铜线作为引脚。优选的，所述聚丙烯薄膜厚度由5μ到50μ之间，且聚丙烯薄膜具有双向拉伸特性。采用一定的厚度的聚丙烯薄膜防止污染到频带，聚丙烯薄膜具有一定的延展性，增加其加工时的效率和使用寿命。优选的，所述第一屏蔽层与第二屏蔽层的长度与宽度均与铝箔的长度与宽度相等，所述铝箔的长度加上留边的长度与聚丙烯薄膜的长度相等。在铝箔与聚丙烯薄膜之间增加屏蔽层，防止其污染到频带。优选的，所述电容器外壳采用耐高温材料制成。耐高温材料增加电容器外壳使用的寿命。优选的，所述真空蒸镀的加工工艺，包括如下步骤：a：聚丙烯薄膜预处理：首先将聚丙烯薄膜置于去离子水中浸泡0.5-1h，然后将其取出，平铺，置于真空干燥机内进行高温干燥，干燥时间为20-40min，然后在进行电晕处理，将聚丙烯薄膜的两侧开设有蜂窝状的凹槽；蜂窝状凹槽使得专用油能够紧密贴合到聚丙烯薄膜上，同时还能够使得铝箔与聚丙烯薄膜之间的贴合面积更大；b：蒸镀：首先将聚丙烯薄膜置于清洁后的真空室内，并在真空下加热聚丙烯薄膜，使其表面附着的气体脱附，然后将其排出真空室内，提高蒸镀的纯度，然后通过取少量的专用油均匀的平铺到聚丙烯薄膜两侧的蜂窝状凹槽上，做屏蔽层使用，然后通过电子束加热铝箔和熔融，并将熔融后的铝箔均匀的镀在聚丙烯薄膜上的蜂窝状凹槽外侧的专用油表面，并使其表面平整，且蒸镀的方式采用纯铝低方阻的方式；c：将步骤b中制得的金属化薄膜通过卷绕制成电容器芯片，然后通过冷压，喷金，最后烘干定型。优选的，所述步骤b中的所述专用油采用苄基甲苯类掺合油。优选的，所述步骤a中的真空干燥机的干燥温度为70-90℃。本发明的有益效果是：本发明中，通过改变以往的电容器聚丙烯薄膜采用传统的高油屏蔽蒸镀铝加锌高房方阻的方法，在蒸镀的过程中加入少量的专用油做屏蔽层来防止污染频带，避免由于油量大而污染到频带，造成高频损耗并增大Q值减小的现象，同时再蒸镀一薄层铝做电极，用以起到自愈的作用，由于Q值越高其电容器的损耗值越低，效率越高，则采用低油屏蔽以及在蒸镀过程中采用纯铝低方阻的双重设计，以保证电容可以实现高Q值低损耗的特性，且该过程易加工，成本较低，功率因数较高，满足当前无线充电的迫切需求。附图说明图1为本发明高Q值电容器的结构示意图；图2为本发明聚丙烯薄膜的侧面剖视图；图3为本发明电容器外壳的剖视图；图4为本发明聚丙烯薄膜的剖视图；附图标记：1-电容器外壳；2-镀锡铜线；3-铝箔；4-第一屏蔽层；5-留边；6-聚丙烯薄膜；7-第二屏蔽层；8-蜂窝状凹槽；9-环氧树脂胶；10-电容器芯子。具体实施方式为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例和附图，进一步阐述本发明，但下述实施例仅仅为本发明的优选实施例，并非全部。基于实施方式中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得其它实施例，都属于本发明的保护范围。下面结合附图描述本发明的具体实施例。实施例1如图1-4所示，一种新型高Q值电容器，包括电容器芯子10、电容器外壳1与镀锡铜线2，电容器芯子10内设置有绝缘层聚丙烯薄膜6，且聚丙烯薄膜6的两侧均通过加入少量屏蔽油做第一屏蔽层4与第二屏蔽层7，第一屏蔽层4与第二屏蔽层7的顶部开设有蜂窝状凹槽8，聚丙烯薄膜6的一侧且位于蜂窝状凹槽8的外侧通过真空蒸镀镀上一层铝箔3，且聚丙烯薄膜6的一侧位于铝箔3的一侧设置有留边5；电容器外壳1的内侧通过环氧树脂胶9粘合有电容器芯子10，且环氧树脂胶9均匀的填充在电容器外壳1与电容器芯子10之间，电容器外壳1的一侧从电容器芯子10的内部引出镀锡铜线2作为引脚。聚丙烯薄膜6厚度由5μ到50μ之间，且聚丙烯薄膜6具有双向拉伸特性。第一屏蔽层4与第二屏蔽层7的长度与宽度均与铝箔3的长度与宽度相等，铝箔3的长度加上留边5的长度与聚丙烯薄膜6的长度相等。电容器外壳1采用耐高温材料制成。首先将聚丙烯薄膜6的两侧开设有蜂窝状凹槽8，且蜂窝状凹槽8的大小与铝箔3的大小一致，然后向蜂窝状凹槽8的内部加入少量的屏蔽油做第一屏蔽层4与第二屏蔽层7，并将铝箔3均匀的平铺到其中一个屏蔽层上，然后通过卷绕的方式，带动聚丙烯薄膜6进行均匀卷绕，卷绕完成后形成电容器芯子10，将该电容器芯子10置于电容器外壳1内部，并将电容器芯子10与电容器外壳1之间注入环氧树脂胶9将其连接，然后引出镀锡铜线2即可完成该高Q值电容器。实施例2一种新型高Q值电容器的真空蒸镀的加工工艺，包括如下步骤：a：聚丙烯薄膜预处理：首先将聚丙烯薄膜置于去离子水中浸泡0.5-1h，然后将其取出，平铺，置于真空干燥机内进行高温干燥，干燥时间为20-40min，然后在进行电晕处理，将聚丙烯薄膜的两侧开设有蜂窝状的凹槽；b：蒸镀：首先将聚丙烯薄膜置于清洁后的真空室内，并在真空下加热聚丙烯薄膜，使其表面附着的气体脱附，然后将其排出真空室内，提高蒸镀的纯度，然后通过取少量的专用油均匀的平铺到聚丙烯薄膜两侧的蜂窝状凹槽上，做屏蔽层使用，然后通过电子束加热铝箔和熔融，并将熔融后的铝箔均匀的镀在聚丙烯薄膜上的蜂窝状凹槽外侧的专用油表面，并使其表面平整，且蒸镀的方式采用纯铝低方阻的方式；c：将步骤b中制得的金属化薄膜通过卷绕制成电容器芯片，然后通过冷压，喷金，最后烘干定型。步骤b中的专用油采用苄基甲苯类掺合油。步骤a中的真空干燥机的干燥温度为70-90℃。实施例3一种新型高Q值电容器的真空蒸镀的加工工艺，包括如下步骤：a：聚丙烯薄膜预处理：首先将聚丙烯薄膜置于去离子水中浸泡0.5-1h，然后将其取出，平铺，置于真空干燥机内进行高温干燥，干燥时间为20-40min，然后在进行电晕处理，将聚丙烯薄膜的两侧开设有蜂窝状的凹槽；b：蒸镀：首先将聚丙烯薄膜置于清洁后的真空室内，并在真空下加热聚丙烯薄膜，使其表面附着的气体脱附，然后将其排出真空室内，提高蒸镀的纯度，然后通过电子束加热熔融铝和锌，并将熔融后的铝和锌均匀的镀在聚丙烯薄膜上的蜂窝状凹槽外侧的专用油表面，并使其表面平整，且蒸镀的方式采用非纯铝高方阻的方式；c：将步骤b中制得的金属化薄膜通过卷绕制成电容器芯片，然后通过冷压，喷金，最后烘干定型。步骤a中的真空干燥机的干燥温度为70-90℃。通过对实施例2-3所制作的一种新型高Q值电容器进行检测，得到以下检测结果：测试项目实施例2实施例3Q值（品质因数）800500损耗率10%15%分析实验数据：实施例2中向聚丙烯薄膜两侧的蜂窝状凹槽上平铺有专用油，且该专用油为苄基甲苯类掺合油，并采用纯铝低方阻的方式制成电容器加以使用，实施例3中去掉聚丙烯薄膜两侧的蜂窝状凹槽上的专用油，并采用铝和锌混合且高方阻的方式制成电容器加以使用，使用的过程中，经检测，实施例2中电容器的Q值（品质因数）大于实施例3中的电容器Q值（品质因数），且实施例2中电容器的损耗率小于实施例3中电容器的损耗率。在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本发明的优选例，并不用来限制本发明，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

权利要求：1.一种新型高Q值电容器，包括电容器芯子（10）、电容器外壳（1）与镀锡铜线（2），其特征在于：所述电容器芯子（10）内设置有绝缘层聚丙烯薄膜（6），且聚丙烯薄膜（6）的两侧均通过加入少量屏蔽油做第一屏蔽层（4）与第二屏蔽层（7），第一屏蔽层（4）与第二屏蔽层（7）的顶部开设有蜂窝状凹槽（8），所述聚丙烯薄膜（6）的一侧且位于蜂窝状凹槽（8）的外侧通过真空蒸镀镀上一层铝箔（3），且聚丙烯薄膜（6）的一侧位于铝箔（3）的一侧设置有留边（5）；所述电容器外壳（1）的内侧通过环氧树脂胶（9）粘合有所述电容器芯子（10），且环氧树脂胶（9）均匀的填充在电容器外壳（1）与电容器芯子（10）之间，所述电容器外壳（1）的一侧从电容器芯子（10）的内部引出所述镀锡铜线（2）作为引脚。2.根据权利要求1所述的一种新型高Q值电容器，其特征在于：所述聚丙烯薄膜（6）厚度由5μ到50μ之间，且聚丙烯薄膜（6）具有双向拉伸特性。3.根据权利要求1所述的一种新型高Q值电容器，其特征在于：所述第一屏蔽层（4）与第二屏蔽层（7）的长度与宽度均与铝箔（3）的长度与宽度相等，所述铝箔（3）的长度加上留边（5）的长度与聚丙烯薄膜（6）的长度相等。4.根据权利要求1所述的一种新型高Q值电容器，其特征在于：所述电容器外壳（1）采用耐高温材料制成。5.根据权利要求1所述的真空蒸镀的加工工艺，其特征在于：包括如下步骤：a：聚丙烯薄膜预处理：首先将聚丙烯薄膜置于去离子水中浸泡0.5-1h，然后将其取出，平铺，置于真空干燥机内进行高温干燥，干燥时间为20-40min，然后在进行电晕处理，将聚丙烯薄膜的两侧开设有蜂窝状的凹槽；b：蒸镀：首先将聚丙烯薄膜置于清洁后的真空室内，并在真空下加热聚丙烯薄膜，使其表面附着的气体脱附，然后将其排出真空室内，提高蒸镀的纯度，然后通过取少量的专用油均匀的平铺到聚丙烯薄膜两侧的蜂窝状凹槽上，做屏蔽层使用，然后通过电子束加热铝箔和熔融，并将熔融后的铝箔均匀的镀在聚丙烯薄膜上的蜂窝状凹槽外侧的专用油表面，并使其表面平整，且蒸镀的方式采用纯铝低方阻的方式；c：将步骤b中制得的金属化薄膜通过卷绕制成电容器芯片，然后通过冷压，喷金，最后烘干定型。6.根据权利要求4所述的真空蒸镀的加工工艺，其特征在于：步骤b中的所述专用油采用苄基甲苯类掺合油。7.根据权利要求4所述的真空蒸镀的加工工艺，其特征在于：步骤a中的真空干燥机的干燥温度为70-90℃。

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