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申请/专利权人：泰奇法布有限责任公司
摘要：根据各个方面，提供了一种忆阻交叉阵列，包括：交叉配置中的第一控制线和第二控制线，其限定了多个交叉点区域，忆阻材料部分，其设置在第一控制线中的一个控制线和第二控制线中的一个控制线的相应对之间的多个交叉点区域的每个交叉点区域中，以形成对应的忆阻结构。每个忆阻材料部分可以具有预定范围的厚度，使得每个对应忆阻结构具有对称的读取特性和或读取特性中的至少一个曲率变化。
主权项：1.一种忆阻交叉阵列500，包括：交叉配置中的第一控制线111i和第二控制线121j，限定多个交叉点区域100ri，j；忆阻材料部分130i，j，设置在所述第一控制线111i中的一个控制线和所述第二控制线121j中的一个控制线的相应对之间的所述多个交叉点区域100ri，j中的每个交叉点区域内，以形成对应忆阻结构100i，j，其中，每个忆阻材料部分130i，j具有预定范围的厚度，使得每个对应忆阻结构在正初始化和正读出之后和或负初始化和负读出之后具有对称的读取特性和或读取特性中的至少一个曲率变化。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 泰奇法布有限责任公司 忆阻结构、忆阻阵列及其方法
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