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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种环栅堆叠纳米器件及其制备方法，包括以下步骤：在提供的衬底上交替生长牺牲层和沟道层，将沟道层和牺牲层刻蚀成多个周期分布的鳍片，并在相邻两个鳍片之间形成浅槽隔离区；在露出的鳍片表面形成假栅结构；在假栅结构的两侧形成侧墙；对鳍片进行源漏刻蚀，刻蚀停止于所述衬底的表面，在侧墙两侧形成用于制备源漏极的源漏区；沿源漏区的中心方向刻蚀掉所述牺牲层的边缘部分，形成内嵌的凹槽；对侧墙下方鳍片的侧壁进行选择性Si外延，并使鳍片与侧墙对齐；外延生长源漏极。本发明简化了环栅堆叠纳米器件的整体集成流程，同时提高了源区和漏区的形成质量，提升了环栅晶体管的工作性能。
主权项：1.一种环栅堆叠纳米器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在提供的衬底1上交替生长牺牲层2和沟道层3，将沟道层3和牺牲层2刻蚀成多个周期分布的鳍片，并在相邻两个鳍片之间形成浅槽隔离区4；在露出的鳍片表面形成假栅结构；在假栅结构的两侧形成侧墙7；对鳍片进行源漏刻蚀，刻蚀停止于所述衬底1的表面，在侧墙7两侧形成用于制备源漏极9的源漏区；沿源漏区的中心方向刻蚀掉所述牺牲层2的边缘部分，形成内嵌的凹槽8；对侧墙7下方鳍片的侧壁进行选择性Si外延，并使鳍片与侧墙7对齐；外延生长源漏极9。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种环栅堆叠纳米器件及其制备方法
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