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申请/专利权人：苏州珂晶达电子有限公司
摘要：本发明实施例公开了一种平面高压器件。该平面高压器件包括半导体衬底、P型隔离层、N型漂移层、栅区、源区、漏区和体区，其中，P型隔离层位于半导体衬底上方，N型漂移层位于P型隔离层的上方，栅区、源区、漏区和体区位于N型漂移层上方，体区、栅区和漏区在水平方向排列，且栅区位于体区和漏区之间，源区位于体区上方且与栅区邻接；栅区包括栅极深槽以及位于栅极深槽中的第一栅氧化层和第一多晶硅栅，第一栅氧化层包裹第一多晶硅栅；栅区和漏区之间设置有浅槽隔离区，栅极深槽的深度大于体区和浅槽隔离区的深度。本发明实施例能够显著地降低平面高压DMOS器件的导通电阻，同时显著地增加器件耐压值。
主权项：1.一种平面高压器件，其特征在于，包括：半导体衬底；P型隔离层，位于所述半导体衬底上方；N型漂移层，位于所述P型隔离层的上方；栅区、源区、漏区和体区，位于所述N型漂移层上方；所述体区、所述栅区和所述漏区在水平方向排列，且所述栅区位于所述体区和所述漏区之间，所述源区位于所述体区上方且与所述栅区邻接；所述栅区包括栅极深槽以及位于所述栅极深槽中的第一栅氧化层和第一多晶硅栅，所述第一栅氧化层包裹所述第一多晶硅栅；所述栅区和所述漏区之间设置有浅槽隔离区，所述栅极深槽的深度大于所述体区和所述浅槽隔离区的深度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州珂晶达电子有限公司 一种平面高压器件
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