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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本公开提供了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，其中半导体器件包括硅衬底；多个隔离浅沟槽，每个隔离浅沟槽中填充有硅氧化物材料；每个隔离浅沟槽的开口处设置有自硅衬底向隔离浅沟槽中心延伸的硅材料层，隔离浅沟槽的开口面积大于硅材料层的覆盖面积。本公开提供的技术方案，通过在隔离浅沟槽的开口位置自硅衬底向隔离浅沟槽中心延伸的硅材料层，在保证浅沟槽隔离结构隔离作用效果的情况下，通过外延硅材料层的方式增大了有源区的所占面积，能够在半导体器件尺寸不断缩小的应用场景下增加有源区面积，具有可推广价值。
主权项：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体结构件，所述半导体结构件包括依次层叠的硅衬底、第一硅氧化物膜层以及硅氮化物膜层；进行浅沟槽刻蚀以形成多个第一沟槽结构，并于所述第一沟槽结构中填充预设深度的硅氧化物材料；于所述硅氧化物材料的表面外延生成硅材料层；于所述半导体结构件和所述硅材料层的表面沉积第二硅氧化物膜层；根据所述第二硅氧化物膜层进行外延刻蚀回退以形成若干第二沟槽结构，并于所述第二沟槽结构中填充所述硅氧化物材料；去除所述第一硅氧化物膜层、第二硅氧化物膜层、硅氮化物膜层以及于所述第二沟槽结构中填充的部分所述硅氧化物材料，使得所述硅衬底和所述硅材料层的表面露出，以形成所述半导体器件。
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百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体器件的制备方法及半导体器件
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