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申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
摘要：本公开涉及半导体器件。根据实施例，提供了一种晶体管器件，其包括具有第一主表面的半导体衬底和一个或多个晶体管单元。每个晶体管单元包括在半导体衬底中形成的柱状沟槽、布置在柱状沟槽中的柱状场板和围绕柱状沟槽布置的台面。柱状沟槽包括场电介质、基底和侧壁。侧壁从基底延伸到第一主表面，并且场电介质对柱状沟槽的基底和侧壁进行内衬。场电介质在距基底的第一距离处的第一厚度小于场电介质在距基底的第二距离处的第二厚度，其中第一距离大于第二距离。柱状场板在第一距离处的第一周长大于柱状场板在第二距离处的第二周长。
主权项：1.一种晶体管器件，包括：具有第一主表面的半导体衬底；以及一个或多个晶体管单元，每个晶体管单元包括：在所述半导体衬底中形成的柱状沟槽，其中，所述柱状沟槽包括场电介质、基底和侧壁，其中，所述侧壁从所述基底延伸到所述第一主表面，并且所述场电介质对所述柱状沟槽的所述基底和侧壁进行内衬，其中，所述场电介质在距所述基底的第一距离处的第一厚度小于所述场电介质在距所述基底的第二距离处的第二厚度，其中，所述第一距离大于所述第二距离；布置在所述柱状沟槽中的柱状场板，其中，所述柱状场板在所述第一距离处的第一周长大于所述柱状场板在所述第二距离处的第二周长；以及围绕所述柱状沟槽布置的台面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技奥地利有限公司 半导体器件
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