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申请/专利权人：横店集团东磁股份有限公司
摘要：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种TBC太阳能电池的制备方法。本发明采用单层i‑poly‑Si层结合紫外激光氧化形成掩膜进行掺杂扩散得到TBC太阳能电池，全制备过程仅需一次i‑poly‑Si沉积及一次激光开槽，可避免多次i‑poly‑Si沉积引起的热应力分布不均匀导致产品性能和良品率降低等方面问题；同时一次激光开槽可减少对硅片的损伤，提升Voc；此外采用一次i‑poly‑Si沉积还可以大幅减少特气用量，降低生产成本。此外，本发明方法制得的TBC太阳能电池中，硅片背面的i‑poly‑Si层形成n+‑poly‑Si层高度基本一致，有助于后续电极层的制备，可进一步提高产品性能和良品率。
主权项：1.一种TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于包括：S1、硅片双面抛光；S2、背面沉积隧穿SiOx层、i-poly-Si层；S3、紫外激光一次图形化氧化i-poly-Si层，形成第一氧化阻挡层；S4、硼扩散，在未氧化区域生成p+-poly-Si层和BSG层；S5、去除第一氧化阻挡层和BSG层；S6、紫外激光二次图形化氧化p+-poly-Si层，形成第二氧化阻挡层；S7、磷扩散，在无第二氧化阻挡层区域生成n+-poly-Si层和PSG层；S8、去除绕镀层；S9、在p+-poly-Si层和n+-poly-Si层交界处激光开槽；S10、清洗制绒；S11、双面镀膜；S12、丝网印刷、烧结、光注入，得到TBC太阳能电池。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 横店集团东磁股份有限公司 一种TBC太阳能电池的制备方法
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