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申请/专利权人：淮安捷泰新能源科技有限公司
摘要：本申请公开了一种TBC结构背接触电池的制造方法及背接触电池，属于太阳能电池制造技术领域。本申请的背接触电池，其P区采用硼掺杂单晶硅的方式，避开了常见的硼掺杂多晶硅作为P区而带来的钝化效果不好的问题；同时使用非原位硼掺杂的多晶硅层退火进行硼掺杂，使P区表面硼浓度为最高，可有效利用BC结构电池的优势，使金属浆料烧结较浅的深度就能获得较好的欧姆接触，减少P区损伤与复合。
主权项：1.一种TBC结构背接触电池的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S01、对硅片（1）进行双面抛光，并清洗干净；S02、在硅片（1）两面生长一层原位硼掺非晶硅层（21），然后在原位硼掺非晶硅层（21）上生长一层第一阻挡层（3）；S03、对硅片（1）背面的第一阻挡层（3）进行刻蚀，形成叉指图形，将刻蚀的区域设为第二区域（5），剩下的阻挡层区域设为第一区域（4）；S04、对硅片（1）进行刻蚀，使第二区域（5）刻蚀出一个凹槽；S05、在凹槽内及第一区域（4）的第一阻挡层（3）上依次生长隧穿氧化层（6）、本征非晶硅层（7）、原位磷掺非晶硅层（81）和第二阻挡层（9）；S06、将硅片（1）在900-1000℃的温度下，进行退火处理30-60分钟，使硼掺杂单晶硅的第一区域形成P区（11），原位硼掺非晶硅层（21）转变为硼掺多晶硅层（22），原位磷掺非晶硅层（81）中的磷均匀扩散到非晶硅层中，经温度降低，本征非晶硅层（7）、原位磷掺非晶硅层（81）变为多晶硅层，形成N区（10）；S07、去除第一区域（4）上的第二阻挡层（9），并在第一区域（4）与第二区域（5）之间烧刻出一道沟道（12）；S08、将硅片（1）正面制成单晶绒面，同时依次去除第一区域（4）的磷掺多晶硅层（82）、隧穿氧化层（6）、第一阻挡层（3）和硼掺多晶硅层（22）；最后对硅片（1）进行清洗，去除第二区域（5）上的第二阻挡层（9）；S09、在硅片（1）的正反面生长钝化层（13）；S10、在硅片的背面制成电极（14），得到TBC结构背接触电池片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 淮安捷泰新能源科技有限公司 一种TBC结构背接触电池的制造方法及背接触电池
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