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一种具有抛光隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法 

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申请/专利权人:横店集团东磁股份有限公司

摘要:本发明涉及太阳能电池领域,公开了一种具有抛光隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法。首先,本发明将具有金字塔绒面的常规隔离区结构改进为凸出于硅片背面的抛光隔离区结构,可增加入射光在硅基体内的反射,从而提升电池Isc,同时,由于初始隔离区被掩膜层保护住,后续不受湿法腐蚀破坏,可使隔离区与硼磷扩散层高度差较小,有利于硅基底内部载流子横向传输,提升FF,其次,本发明通过优化工艺步骤,实现了单次沉积本征多晶硅层即可得到TBC太阳能电池,可有效提升产品的性能和良品率,并同时显著降低生产成本。

主权项:1.一种具有抛光隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法,其特征在于包括:S1、硅片双面抛光;S2、背面形成隧穿氧化层、本征多晶硅层、掩膜层;S3、开槽去除硼扩散设计区域的掩膜层;S4、碱清洗;S5、硼扩散,使硼扩散设计区域的本征多晶硅层转为硼扩散层和BSG层;S6、保留隔离区设计区域的掩膜层,开槽去除磷扩散设计区域的掩膜层;S7、碱清洗;S8、磷扩散,使磷扩散设计区域的本征多晶硅层转为磷扩散层、PSG层;S9、去除绕镀层;S10、湿法清洗及正面制绒,酸洗去除残留掩膜层、PSG层和BSG层,形成凸出于硅片背面的抛光隔离区;S11、双面镀膜;S12、丝网印刷、烧结、光注入。

全文数据:

权利要求:

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