龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：横店集团东磁股份有限公司
摘要：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种无掩膜单次沉积硅层制备TBC太阳能电池的方法。首先，本发明通过优化工艺步骤，在不构建掩膜层的情况下实现了单次沉积本征多晶硅层制备TBC太阳能电池，可进一步简化制备步骤，并有效提升产品的性能和良品率，并同时显著降低生产成本。其次，本发明通过巧妙的差异化激光处理工艺，可制得具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池，不仅可减少p区和n区发生短路的概率，还可降低部分硼扩散层或磷扩散层厚度以减少寄生吸收影响。
主权项：1.一种无掩膜单次沉积硅层制备TBC太阳能电池的方法，其特征在于包括：S1、硅片双面抛光；S2、背面形成隧穿氧化层、本征多晶硅层；S3、硼扩散，使本征多晶硅层转为硼原子浓度为1E+19~1E+20cm-3的硼扩散层和BSG层；S4、激光开槽去除磷扩散层设计区域的BSG层；S5、碱清洗；S6、磷扩散，使暴露的硼扩散层转为磷原子浓度＞1E+20cm-3的磷扩散层、PSG层；S7、绿色激光开槽去除硼扩散层与磷扩散层交界处的BSG层、PSG层，并打松其底部各沉积层；S8、紫外激光开槽去除剩余BSG层的两侧部分，并打松其底部的硼扩散层表层；S9、紫外激光开槽去除剩余PSG层的两侧部分，并打松其底部的磷扩散层表层；S10、去除绕镀层；S11、硅片在碱性条件下同步湿法清洗及制绒，S7打松的沉积层及S8、S9打松的硼扩散层表层和磷扩散层表层被去除，形成凸形隔离区结构；同时硅片表面暴露区域形成金字塔绒面；最后酸洗去除残留PSG层和BSG层；S12、双面镀膜；S13、丝网印刷、烧结、光注入。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 横店集团东磁股份有限公司 一种无掩膜单次沉积硅层制备TBC太阳能电池的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号