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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
摘要：本申请提供一种具有介电衬垫的半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基底；一第一位元线结构，设置于该基底上，并包括一第一导电层、设置于该第一导电层上的一第二导电层，以及设置于该第二导电层上的一第一介电层；一第二位元线结构，设置于该基底上，并包括一第二介电层、设置于该第二介电层上的一第三导电层，以及设置于该第三导电层上的一第三介电层；一多晶硅层，设置于该基底上，被该第一位元线结构与该第二位元线结构包围；一介电衬垫，围绕该多晶硅层的至少一部分；以及一着陆垫，设置于该多晶硅层、该介电衬垫与该第二位元线结构上。
主权项：1.一种半导体结构，包括：一基底；一第一位元线结构，设置于该基底上，并包括一第一导电层、设置于该第一导电层上的一第二导电层，及设置于该第二导电层上的一第一介电层；一第二位元线结构，设置于该基底上，并包括一第二介电层，设置于该第二介电层上的一第三导电层，及设置于该第三导电层上的一第三介电层；一多晶硅层，设置于该基底上，并被该第一位元线结构与该第二位元线结构包围；一介电衬垫，围绕该多晶硅层的至少一部分；以及一着陆垫，置于该多晶硅层、该介电衬垫与该第二位元线结构上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有介电衬垫的半导体结构
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