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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体封装结构，半导体结构包括：衬底，具有相对的第一面和第二面，衬底内具有多个间隔排布的沟槽，每一沟槽内填充有沟槽电容器，沟槽电容器包括：N层极板，相邻极板之间具有电介质层，N＞1，第n层极板位于第n‑1层极板远离沟槽侧壁的一侧1＜n≤N；位于第一面上的N个第一电接触结构，每一第一电接触结构在第一面的正投影形状为环形，且相邻的两个第一电接触结构中，一第一电接触结构绕设于另一电接触结构外周；多个沟槽电容器中处于相同层的极板均与同一第一电接触结构电接触，且多个沟槽电容的第1层极板至第N层极板中的所有极板与不同的第一电接触结构电接触。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底内具有多个间隔排布的沟槽，每一所述沟槽自所述第一面向所述第二面延伸，每一所述沟槽内填充有沟槽电容器，所述沟槽电容器包括：N层极板，相邻所述极板之间具有电介质层，N＞1，其中，第n层所述极板位于第n-1层所述极板远离所述沟槽侧壁的一侧，1＜n≤N；位于所述第一面上的N个第一电接触结构，每一所述第一电接触结构在所述第一面的正投影形状为环形，且相邻的两个所述第一电接触结构中，一所述第一电接触结构绕设于另一所述第一电接触结构外周；多个所述沟槽电容器中处于相同层的所述极板均与同一所述第一电接触结构电接触，且多个所述沟槽电容的第1层所述极板至第N层所述极板中的所有所述极板与不同的所述第一电接触结构电接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制备方法、半导体封装结构
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