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带有半λ介电层的横向激励的薄膜体声学谐振器 

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申请/专利权人:株式会社村田制作所

摘要:公开了声学谐振器器件和滤波器。一种声学谐振器器件,包括:一基板,具有一表面;一单晶压电板,具有正面和背面,所述背面附接到所述基板的表面上,除了一部分的压电板未附接到所述基板的表面上,其中这部分的压电板形成了隔膜,所述隔膜跨越所述基板中的腔。一叉指换能器IDT,在所述单晶压电板的正面上形成,使得IDT的交错指状物设置在所述隔膜上。所述压电板和IDT配置为使得施加到IDT的射频信号激励所述隔膜中的剪切主声模。一半λ介电层,在所述压电板的正面和背面中的其中一面上形成。

主权项:1.一种声学谐振器器件,包括:基板,具有表面;单晶压电板,具有正面和背面,除了所述压电板的形成隔膜的一部分之外,所述背面附接到所述基板的表面上,所述隔膜跨越所述基板中的腔;叉指换能器,在所述单晶压电板的正面上形成,使得所述叉指换能器的交错指状物设置在所述隔膜上,所述压电板和所述叉指换能器配置为使得施加到所述叉指换能器的射频信号激励所述隔膜中的剪切主声模;和半λ介电层,在所述压电板的正面和背面中的其中一面上形成,其中所述半λ介电层是厚度为所述半λ介电层中的剪切体声波谐振的波长λ0,d的一半的介电层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社村田制作所 带有半λ介电层的横向激励的薄膜体声学谐振器

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