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申请/专利权人：三菱电机株式会社
摘要：半导体装置具备：场绝缘膜（10），与形成于终端沟槽（7）的第1栅极电极（9）相接，覆盖在栅极沟槽（6）的延伸方向上离栅极沟槽（6）远的一方的终端沟槽上端角部（7a）的上方地从终端沟槽（7）的内侧到外侧而形成，厚度比栅极绝缘膜（8）的厚度厚；以及第2栅极电极（13），与场绝缘膜（10）之上和形成于终端沟槽（7）的第1栅极电极（9）之上相接，在栅极沟槽（6）的延伸方向上从终端沟槽（7）的内侧到外侧而承载到场绝缘膜（10），通过该结构，能够防止在栅极引出部（70）形成于离活性区域（40）远的一方的终端沟槽上端角部（7a）的栅极绝缘膜（8）破坏。
主权项：1.一种半导体装置，具备：第1导电类型的漂移层；第2导电类型的阱区域，设置于所述漂移层的表层；第1导电类型的杂质区域，设置于所述阱区域的表层；栅极沟槽，从所述杂质区域的表面贯通所述阱区域而到达至所述漂移层；终端沟槽，在俯视时与所述栅极沟槽连接，该终端沟槽的所述栅极沟槽的延伸方向上的宽度比所述栅极沟槽的宽度宽；栅极绝缘膜，与所述栅极沟槽和所述终端沟槽的内侧的面相接地形成；第1栅极电极，在所述栅极沟槽和所述终端沟槽的内壁以及底面隔着所述栅极绝缘膜形成；场绝缘膜，与形成于所述终端沟槽的所述第1栅极电极相接，覆盖在所述延伸方向上离所述栅极沟槽远的一方的所述终端沟槽的上端角部的上方地从所述终端沟槽的内侧到外侧而形成，厚度比所述栅极绝缘膜的厚度厚；以及第2栅极电极，与所述场绝缘膜之上和形成于所述终端沟槽的所述第1栅极电极之上相接，在所述延伸方向上从所述终端沟槽的内侧到外侧而承载到所述场绝缘膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三菱电机株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法
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