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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要：本发明涉及一种VCSEL芯片的制备方法，其步骤有：在衬底A正面依次生长缓冲层、停止层、N接触层、N‑DBR、有源层、P‑DBR以及P接触层；在P接触层上方做P接触金属，将外延结构刻蚀至停止层，并对其表面进行氧化；将衬底A与支撑载片正面相对进行临时键合；衬底A从背面减薄；将衬底A除外延层以外的剩余衬底和缓冲层去除；将停止层去除，得到与支撑载片临时键合的VCSEL外延层结构，露出N接触层背面；在N接触层背面制备N电极；在另一衬底B正面制备键合金属层；将N电极与衬底B正面相对，并通过键合金属层进行永久键合；进行解键合，并清洗；得到具有高效散热效果的VCSEL芯片。本方法能够在有效改善VCSEL芯片散热效果的同时，具有更小的串联电阻。
主权项：1.一种VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1在衬底A正面依次生长缓冲层、停止层、N接触层、N-DBR、有源层、P-DBR以及P接触层；2在P接触层上方做P接触金属，然后将外延结构刻蚀至停止层，形成台面型VCSEL器件结构，并对其表面进行氧化；3在衬底A表面旋涂临时粘附剂，覆盖住器件结构；4将衬底A与支撑载片正面相对进行临时键合；5将与支撑载片临时键合的衬底A从背面开始减薄；6将与支撑载片临时键合的衬底A除外延层以外的剩余衬底和缓冲层去除，露出停止层背面；7将停止层去除，得到与支撑载片临时键合的VCSEL外延层结构，并露出N接触层背面；8在N接触层背面制备N电极；9在另一高导热衬底B正面制备键合金属层；10将与支撑载片临时键合的VCSEL外延层背面N电极与B衬底正面相对，并通过键合金属层进行永久键合；11将支撑载片与衬底B和VCSEL外延层形成的永久键合结构进行解键合，并清洗；12得到在高导热衬底B上形成的VCSEL芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种VCSEL芯片的制备方法
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