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申请/专利权人：徐州仟目科技集团有限公司
摘要：本实用新型提供了一种高单模抑制比的VCSEL结构，属于激光器技术领域，在N型衬底上进行N型布拉格反射镜、谐振腔、有源区、P型布拉格反射镜的生长，完成外延生长后，分别进行P金属沉积、RIE刻蚀、湿法氧化和PECVD介质层沉积，用光刻胶保护发光区域和部分金属接触区域后，对器件进行离子注入，通过光刻定义模式过滤图层后，利用RIE在表面介质层上刻蚀出模式过滤层，完成接触金属的开孔，并进行电镀，形成镀金层，背面减薄N型衬底并镀上N金属，采用以上方法后，本实用新型具有如下优点：本实用新型所制作的VCSEL相较于传统VCSEL而言，在光功率达到正常器件功率的范围内，提供单模抑制比约50dB的激光输出，该方案具有稳定的可量产性。
主权项：1.一种高单模抑制比的VCSEL结构，其特征在于：包括N型衬底1，在所述N型衬底1上设有N型布拉格反射镜2、谐振腔3、有源区4、氧化层6、P型布拉格反射镜5、氮化硅7、P接触金属8和模式过滤层10，所述的有源区4用于产生激光，对器件进行离子注入，形成离子注入区域9，所述的N型衬底1远离N型布拉格反射镜2的一端设有N金属12。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 徐州仟目科技集团有限公司 一种高单模抑制比的VCSEL结构
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