龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：英特尔公司
摘要：描述了具有背面触点拓宽的集成电路结构。在示例中，一种集成电路结构包括多条水平堆叠设置的纳米线。栅极堆叠体位于所述多条水平堆叠设置的纳米线之上。外延源极或漏极结构位于所述多条水平堆叠设置的纳米线的末端。导电栅极触点垂直地位于栅极堆叠体的底部下面并与之接触。导电栅极触点位于隔离层中的空腔中，该空腔在平行于外延源极或漏极结构的方向上延伸超出栅极堆叠体，并且该空腔在朝向外延源极或漏极结构的方向上受限于该栅极堆叠体。
主权项：1.一种集成电路结构，包括：多条水平堆叠设置的纳米线；位于所述多条水平堆叠设置的纳米线之上的栅极堆叠体；位于所述多条水平堆叠设置的纳米线的末端处的外延源极或漏极结构；以及垂直地位于所述栅极堆叠体的底部下面并与之接触的导电栅极触点，所述导电栅极触点位于隔离层中的空腔中，所述空腔在平行于所述外延源极或漏极结构的方向上延伸超出所述栅极堆叠体，并且所述空腔在朝向所述外延源极或漏极结构的方向上受限于所述栅极堆叠体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 具有背面触点拓宽的集成电路结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号