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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明涉及一种光电探测器的全背面无开孔钝化方法，属于光电子器件技术领域。该方法以本征硅做为处理对象，在本征硅两端用离子注入制备P型区和N型区，形成PIN结构，在PIN结构的N型掺杂面沉积全背面钝化隧穿功能层，全背面钝化隧穿功能层的材料为氧化物或氮化物；在全背面钝化隧穿功能层上沉积N型多晶硅，并在保护性气氛条件下退火，N型多晶硅与全背面钝化隧穿功能层共同形成无开孔背面钝化层。该方法不仅提供了一种无需开孔的背面钝化技术，有效降低器件的暗电流，同时在背面形成异质结促进多子的传输，提升了PIN光电探测器的性能。
主权项：1.一种光电探测器的全背面钝化方法，其特征在于，包括以下步骤：1以本征硅片为衬底，在该衬底的其中一面进行离子注入B元素，注入完成形成P型掺杂后进行退火；在该衬底的另一面进行离子注入P元素，注入完成形成N型掺杂后进行退火，形成PIN结构；2在步骤1得到的PIN结构的N型掺杂面沉积全背面钝化隧穿功能层，所述全背面钝化隧穿功能层的材料为氧化物或氮化物；3在步骤2得到的全背面钝化隧穿功能层上沉积N型多晶硅，并在保护性气氛条件下退火，所述N型多晶硅与所述全背面钝化隧穿功能层共同形成无开孔背面钝化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种光电探测器的全背面无开孔钝化方法
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