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申请/专利权人：江苏穿越光电科技有限公司
摘要：本申请公开了一种垂直堆叠全彩Micro‑LED芯片的制备方法。本方案中，在倒装蓝光LED的n‑GaN层上再生长绿光LED，形成倒装蓝光LED与绿光LED垂直堆叠的结构。该结构利用绿光LED量子阱中大量的V型坑结构对In组分分布的调控作用，实现对绿光LED发光波长的调制。在较小的电流密度下，由于V型坑的作用，会使电流经过高In组分区域，从而发出红光；在较大电流密度下经过低In组分区域，从而发出绿光，结合倒装蓝光LED发出蓝光，可以实现全彩发光。该Micro‑LED芯片结构利用蓝光LEDp‑GaN层的厚度并结合Ag膜反射镜形成光学腔结构，实现在垂直方向上蓝光的相消干涉，减弱蓝光在垂直方向上的发光光强，从而降低蓝光对绿光LED的光致发光效应，减少由此带来的串扰现象。
主权项：1.一种垂直堆叠全彩Micro-LED芯片，其特征在于，其芯片结构包括从下至上依次堆叠的基板、Ag膜反射镜、蓝光LEDp-GaN层、蓝光LEDp-AlGaN电子阻挡层、蓝光LED多量子阱层、n-GaN层、绿光LED多量子阱层、绿光LEDp-AlGaN电子阻挡层、绿光LEDp-GaN层和ITO层；其中，所述绿光LED多量子阱层中含有V型坑结构，所述V型坑结构能够调制量子阱内In组分含量，所述Ag膜反射镜与蓝光LED的p-GaN层形成光学腔结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏穿越光电科技有限公司 一种垂直堆叠全彩Micro-LED芯片的制备方法
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