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申请/专利权人：复旦大学
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于体硅的柱状型半导体场效应正反馈晶体管。本发明的场效应正反馈晶体管，其阴阳极为反型重掺杂，即一方为p+型而另一方为n+型掺杂，中间是硅的沟道为本征弱型掺杂，外面被栅氧化层和栅极一层一层包裹住构成一个环栅结构；从而得到垂直结构的沟道以及栅氧化层。与传统的场效应正反馈器件如Z2‑FET相比，本发明将平面型栅氧化层更改为垂直柱状型结构，增大栅氧化层电容，延长数据存储时间提升可靠性；与普通的体硅CMOS工艺和器件结构兼容；引入关键的垂直型栅氧化层结构，其类环栅的金属栅极可以四面八方控制中间沟道，抑制了短沟道效应，可应用于高性能动态存储器DRAM。
主权项：1.一种基于体硅的柱状型半导体场效应正反馈晶体管，其特征在于，结构为：衬底是重掺杂的阴极（1），在阴极（1）之上外延垂直生长的p型沟道区域（3）、本征弱掺杂型沟道区域（6）和重掺杂阳极（7）；由过刻蚀导致底部重掺杂阴极（1）两侧凹陷，阴极凹陷部分与p型沟道区域（3）的两侧分别为绝缘层衬底填充（2、10）；本征弱掺杂型沟道区域（6）两侧分别为栅氧化层（5、8），再外侧分别为栅极（4、9）；这样栅氧化层（5、8）将沟道区域（6）包裹住，并将沟道区域（6）与栅极（4、9）隔离开来；重掺杂的阳极（7）在最顶部露。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 复旦大学 一种基于体硅的柱状型半导体场效应正反馈晶体管
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