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申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本发明属于光电探测器的技术领域，公开了一种二硒化钼InGaN多光谱光电探测器及其制备方法与应用。所述光电探测器包括从下到上依次排布的衬底、缓冲层、InGaN层和MoSe2层，MoSe2层部分覆盖InGaN层；光电探测器还包括阻隔层和电极层；阻隔层设置在未被MoSe2层覆盖的InGaN层及部分MoSe2层上，电极层设置在阻隔层上并覆盖部分MoSe2层上裸露部分。本发明还公开了探测器的制备方法。本发明的探测器实现红光与蓝光同时探测；在探测芯片表面进行增敏微纳结构设计，提升了蓝光与红光波段的量子效率，增强蓝光与红光谐振吸收，实现高灵敏度高带宽探测。本发明的探测器用于蓝光和或红光多频谱光电探测。
主权项：1.一种二硒化钼InGaN多光谱光电探测器，其特征在于：包括从下到上依次排布的衬底、缓冲层、InGaN层和MoSe2层，MoSe2层部分覆盖InGaN层；所述光电探测器还包括阻隔层和电极层；所述阻隔层设置在未被MoSe2层覆盖的InGaN层以及部分MoSe2层上，所述电极层设置在阻隔层上并覆盖部分MoSe2层上裸露部分；所述缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层，AlN层设置在衬底上；InGaN层设置在GaN层上；所述InGaN层的厚度为100~200nm，MoSe2层的厚度为1~2nm；所述MoSe2层部分覆盖InGaN层是指MoSe2层在InGaN层上形成台阶状的水平台面；所述MoSe2层两端在InGaN层上都形成台阶状的水平台面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 一种二硒化钼/InGaN多光谱光电探测器及其制备方法与应用
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