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申请/专利权人：扬州国宇电子有限公司
摘要：本发明公开了MEMS传感器技术领域内的一种MEMS微热板，包括：硅基底；隔热层，设置于硅基底上部，隔热层材质为多孔硅；绝缘层，设置于隔热层上方，绝缘层从下至上依次包括第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；金属层，设置于绝缘层上方，金属层包括共平面的加热电极和测试电极，测试电极被加热电极所包围，测试电极和加热电极之间设置有隔离环。相较于悬空结构，该MEMS微热板的结构稳定性好，制作难度低；其绝缘层选择氧化硅‑氮化硅‑氧化硅的复合结构，提高了器件的机械强度和抗冷热冲击的能力；另外，该MEMS微热板的加热区域和测试区域相互独立，避免气敏材料涂敷时出现短路。
主权项：1.一种MEMS微热板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：准备硅基底；S2：直接在所述硅基底表面采用电化学腐蚀制备多孔硅，形成隔热层；S3：使用化学气相沉积的方法在所述隔热层上方淀积作为绝缘层，所述绝缘层从下至上依次包括第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；S4：采用光刻结合刻蚀的方式形成光刻胶的图形化，通过磁控溅射将金属淀积在所述绝缘层上，形成金属层，所述金属层包括共平面的加热电极和测试电极，所述加热电极采用蜿蜒型结构包围所述测试电极，所述测试电极采用对称梳状叉指电极结构，且所述测试电极与Pad端连接段的弯折角度为135°，所述测试电极末端与所述Pad端连接处宽度逐渐增大；S5：在所述金属层上方淀积氮化硅，经过光刻和刻蚀后，在所述金属层的加热电极和测试电极之间形成隔离环；S6：在所述金属层上的Pad处使用PVD溅射加厚电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 扬州国宇电子有限公司 一种MEMS微热板及其制备方法
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