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申请/专利权人：北京镓创科技有限公司
摘要：本申请公开一种梯度式氧化镓晶体生长装置及生长方法。包括：坩埚支架，包括本体、设置在本体内的容纳空间和盖体，本体包括第一部分、第二部分和位于第一部分和第二部分之间的第三部分，第一部分由氧化铝陶瓷制成，第二部分由氧化铝纤维制成，第三部分由氧化铝空心球制成，盖体由氧化铝纤维制成，盖体能够与本体结合在一起以封闭容纳空间；坩埚，嵌于坩埚支架内部；氧化铝罩，罩于坩埚支架外部；加热器，为金属材料，设于氧化铝罩内部；中高频感应线圈，为感应线圈，围绕在氧化铝罩四周，用于加热加热器。通过温度梯度法生长氧化镓单晶时无需引入复杂的升降系统，可以降低单晶生长设备的系统复杂度，更适合工业化生产。
主权项：1.一种梯度式氧化镓晶体生长装置，其特征在于，包括：坩埚支架，包括本体、设置在所述本体内的容纳空间和盖体，所述本体包括第一部分、第二部分和位于所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分，其中所述第一部分由氧化铝陶瓷制成，所述第二部分由氧化铝纤维制成，所述第三部分由氧化铝空心球制成，所述盖体由氧化铝纤维制成，所述盖体能够与所述本体结合在一起以封闭所述容纳空间；坩埚，能够被容纳于所述坩埚支架的容纳空间中；氧化铝罩，能够罩于所述坩埚支架外部；加热器，设于所述氧化铝罩内部；中高频感应线圈，围绕所述坩埚支架设置，其中当所述氧化铝罩于所述坩埚支架外部时，所述氧化铝罩设置在所述中高频感应线圈和所述坩埚支架之间，所述中高频感应线圈能够加热所述加热器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京镓创科技有限公司 一种梯度式氧化镓晶体生长装置及生长方法
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