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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该晶体管包括衬底，以及依次层叠于衬底上的缓冲层、至少一第一复合插入层、沟道层、至少一第二复合插入层、势垒层以及帽层；其中，第一复合插入层和第二复合插入层均包括至少两子层，且两子层分别为AlN子层和AlInGaN子层；势垒层为Al组分与In组分比值在4:1‑6:1的AlInN层，沟道层为GaN层。通过该设置，使得势垒层与沟道层晶格失配在0.5%以内，实现势垒层与沟道层晶格基本匹配，从而可显著提高势垒层的晶体质量，并且由于Al组分与In组分比值在4:1‑6:1范围内，使得势垒层与沟道层之间带隙差极大，从而实现制备相对较薄的势垒层，同时还可得到较高的二维电子气浓度。
主权项：1.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括衬底，以及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、至少一第一复合插入层、沟道层、至少一第二复合插入层、势垒层以及帽层；其中，所述第一复合插入层和所述第二复合插入层均包括至少两子层，且所述两子层分别为AlN子层和AlInGaN子层；所述势垒层为Al组分与In组分比值在4:1-6:1的AlInN层，所述沟道层为GaN层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法
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