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准确定位双晶结与晶界的高温超导量子干涉器件制备方法 

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申请/专利权人:中国计量科学研究院

摘要:本发明公开了一种准确定位双晶结与晶界的高温超导量子干涉器件制备方法,该方法包括:提供双晶衬底,双晶衬底上沉积有高温超导材料层;在晶界附近的高温超导材料层上形成微米级直线点阵式的定位标识结构;通过透射式显微镜确定晶界与定位标识之间的相对位置;形成覆盖高温超导材料层和定位标识结构的第一光刻胶层;采用具有超导量子干涉器件结构的版图,利用定位标识结构确定晶界的位置,使版图中的约瑟夫森微桥结图形的中心与晶界对准;图案化第一光刻胶层;刻蚀高温超导材料层,在双晶衬底上形成跨域晶界的约瑟夫森微桥结,形成高温超导量子干涉器件。本发明能够在制备高温超导量子干涉器件过程中约瑟夫森微桥结与双晶衬底的晶界之间的精确对准。

主权项:1.一种准确定位双晶结与晶界的高温超导量子干涉器件制备方法,其特征在于,包括:提供双晶衬底,所述双晶衬底上沉积有高温超导材料层,所述双晶衬底中两个基片的结合界面为晶界;在所述晶界附近的所述高温超导材料层上形成微米级直线点阵式的定位标识结构,所述定位标识结构所在直线垂直于所述晶界的延伸方向;通过透射式显微镜确定所述晶界与所述定位标识之间的相对位置;形成覆盖所述高温超导材料层和所述定位标识结构的第一光刻胶层;采用具有超导量子干涉器件结构的版图,利用所述定位标识结构确定所述晶界的位置,使版图中的约瑟夫森微桥结图形的中心与所述晶界对准;通过曝光、显影图案化所述第一光刻胶层;以图案化的所述第一光刻胶层为掩膜,刻蚀所述高温超导材料层,在所述双晶衬底上形成跨域所述晶界的约瑟夫森微桥结,形成高温超导量子干涉器件。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国计量科学研究院 准确定位双晶结与晶界的高温超导量子干涉器件制备方法

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