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申请/专利权人：铠侠股份有限公司
摘要：实施方式提供一种抑制了周边电路元件的不良的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置1包括：半导体衬底21；控制电路Tr，配置在所述半导体衬底上；存储单元阵列100，配置在所述控制电路的上方，且具有呈三维配置的多个存储单元，由所述控制电路所控制；第1氮化物层32，配置在所述控制电路与所述存储单元阵列之间；以及第2氮化物层31，配置在所述控制电路与所述第1氮化物层之间。
主权项：1.一种半导体存储装置，具备：半导体衬底；晶体管，配置在所述半导体衬底上；存储单元阵列，配置在所述晶体管的上方，且所述存储单元阵列具有：多个第1导电层，积层在第1方向上；柱，在所述第1方向上延伸通过所述多个第1导电层，且包含半导体层；以及第2导电层，配置在所述多个第1导电层中的最下层的下方，且与所述半导体层相接，所述存储单元阵列电连接至所述晶体管；第1氮化物层，在所述第1方向上配置在所述晶体管与所述存储单元阵列之间的位置；以及第2氮化物层，在所述第1方向上配置在所述晶体管与所述第1氮化物层之间的位置；以及导电体，在所述第1方向上延伸通过所述第2氮化物层、所述第1氮化物层、及所述多个第1导电层，其中所述第2氮化物层的氢含量不同于所述第1氮化物层的氢含量。
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