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申请/专利权人：法国原子能及替代能源委员会;意法半导体股份有限公司
摘要：本公开的实施例涉及相变存储器单元。所提供的是相变存储器单元以及制造和操作相变存储器单元的方法。在至少一个实施例中，相变存储器单元包括加热器和堆叠。该堆叠包括至少一个锗层或氮掺杂锗层，以及第一合金的至少一层，第一合金包括锗、锑和碲。电阻层位于加热器和堆叠之间。
主权项：1.一种相变存储器单元，包括：加热器；堆叠，包括：至少一个锗层或氮掺杂锗层；第一合金的至少一层，所述第一合金包括锗、锑和碲；以及第二合金的区域，所述第二合金包括锗、锑和碲，所述第二合金具有高于所述第一合金的锗浓度；以及电阻层，位于所述加热器和所述堆叠之间，其中所述第二合金的所述区域从所述电阻层延伸、并穿过所述至少一个锗层或氮掺杂锗层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 法国原子能及替代能源委员会 意法半导体股份有限公司 相变存储器单元
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