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申请/专利权人：无锡市晶源微电子股份有限公司
摘要：本发明涉及晶体管安全工作区控制技术领域，具体公开了一种晶体管安全工作区自适应调节装置及晶体管应用系统，包括：电流采样单元、电压采样单元、驱动调节单元和晶体管单元，电流采样单元用于对晶体管单元的工作电流进行采样，获得晶体管单元当前工作电流；电压采样单元用于采集晶体管单元在当前工作电流下的饱和管压降；驱动调节单元用于根据负载需求对当前工作电流或饱和管压降进行自适应调节，获得晶体管单元的驱动调节电压；晶体管单元能够根据驱动调节电压工作在安全工作区，安全工作区为晶体管单元的实时工作电流IO满足：0≤IO≤C‑K*Vce。本发明提供的晶体管安全工作区自适应调节装置能够精准有效控制晶体管处于安全工作区。
主权项：1.一种晶体管安全工作区自适应调节装置，其特征在于，包括：电流采样单元、电压采样单元、驱动调节单元和晶体管单元，所述电流采样单元分别与所述电压采样单元和所述晶体管单元电连接，所述电压采样单元与所述晶体管单元电连接，所述驱动调节单元分别与所述电压采样单元和所述晶体管单元电连接，所述电流采样单元用于对所述晶体管单元的工作电流进行采样，获得所述晶体管单元的当前工作电流；所述电压采样单元用于采集所述晶体管单元在当前工作电流下的饱和管压降；所述驱动调节单元用于根据负载需求对所述当前工作电流或所述饱和管压降进行自适应调节，以获得所述晶体管单元的驱动调节电压；所述晶体管单元能够根据所述驱动调节电压工作在安全工作区，所述安全工作区为所述晶体管单元的实时工作电流IO满足：0≤IO≤C-K*Vce，其中，Vce表示所述晶体管单元在当前工作电流下的饱和管压降，C和K均表示可变调节参数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡市晶源微电子股份有限公司 晶体管安全工作区自适应调节装置及晶体管应用系统
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