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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种二维材料晶体管器件及其形成方法，其中，二维材料晶体管器件包括：衬底，衬底包括第一区以及位于第一区两侧的第二区；位于衬底表面的第一材料层，第一材料层至少位于第一区上，第一材料层的材料为二维材料，二维材料具有若干层沿第一方向排布的单原子层，第一方向平行于衬底表面，各单原子层的排布平面垂直于衬底表面，第一材料层具有相对的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁、第二侧壁均平行于单原子层的排布平面；位于衬底表面的栅极，栅极与第一侧壁和第二侧壁分别同时接触，且栅极位于相邻两个第二区之间。所述二维材料晶体管器件及其形成方法减小了二维材料晶体管器件占用的工作面积，提升了器件性能和集成度。
主权项：1.一种二维材料晶体管器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括第一区以及位于第一区两侧的第二区；位于所述衬底表面的第一材料层，所述第一材料层至少位于所述第一区上，所述第一材料层的材料为二维材料，所述二维材料具有若干层沿第一方向排布的单原子层，所述第一方向平行于衬底表面，各所述单原子层的排布平面垂直于衬底表面，所述第一材料层具有相对的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁、第二侧壁均平行于所述单原子层的排布平面；位于所述衬底表面的栅极，所述栅极与所述第一侧壁和第二侧壁分别同时接触，且所述栅极位于相邻两个第二区之间。
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