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申请/专利权人：京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要：本公开提供了一种晶体管及其制备方法。晶体管包括：外延结构、欧姆金属层、栅极金属层和沉积层；沉积层覆盖在外延结构的一面，外延结构和沉积层具有内凹的台阶结构，台阶结构的台阶面位于外延结构内；欧姆金属层通过台阶结构与外延结构连接；栅极金属层位于沉积层背向外延结构的一面。本公开能够明显改善晶体管正、反向关态漏电，使正向导通电压提高，提升晶体管的稳定性。
主权项：1.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：外延结构10、欧姆金属层20、栅极金属层112和沉积层114；所述沉积层114覆盖在所述外延结构10的一面，所述外延结构10和所述沉积层114具有内凹的台阶结构201，所述台阶结构201的台阶面位于所述外延结构10内；所述欧姆金属层20通过所述台阶结构201与所述外延结构10连接；所述栅极金属层112位于所述沉积层114背向所述外延结构10的一面。
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权利要求：
百度查询： 京东方华灿光电(浙江)有限公司 晶体管及其制备方法
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